今年ddr5內(nèi)存的顆粒也開(kāi)始量產(chǎn)了，說(shuō)明要不了多久ddr5的內(nèi)存條就會(huì)逐漸普及開(kāi)來(lái)，那么對(duì)比于我們現(xiàn)在使用的ddr4內(nèi)存條，ddr5內(nèi)存在什么方面會(huì)有提升呢，讓我們來(lái)看看吧。

ddr5內(nèi)存和ddr4區(qū)別對(duì)比：

1.性能

如果只看頻率的話，相同容量下，4800MHz的DDR5內(nèi)存條，性能是3200MHz的DDR4內(nèi)存條的1.5倍，實(shí)際DDR5還有其他BUFF，所以最終是1.87倍的性能加成。你也可以簡(jiǎn)單理解為，同樣的時(shí)間里，DDR5跑了3圈，而DDR4只跑了2圈，妥妥的碾壓。

2.工作電壓

而對(duì)于低功耗設(shè)備來(lái)說(shuō)，DDR5相較DDR4最大的意義就是更高的能耗比，電壓從1.2V進(jìn)一步降低到1.1V，可以更加省電。而且DDR5還將PMIC（power management IC）從主板挪到了DIMM上，這讓電源管理的顆粒度變得更小，可以更加讓整套平臺(tái)都更加省電，新一代筆記本在速度提升的同時(shí)，還能在不犧牲續(xù)航甚至是獲得更長(zhǎng)續(xù)航時(shí)間。

3.ECC特性

簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，ECC(Error Correcting Code)就是一個(gè)內(nèi)存糾錯(cuò)機(jī)制，運(yùn)行過(guò)程中的內(nèi)存可能發(fā)生1bit數(shù)據(jù)的跳變，帶ECC特性的內(nèi)存可以主動(dòng)糾錯(cuò)，維持系統(tǒng)的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。以往 ECC內(nèi)存一般應(yīng)用在服務(wù)器上，也就是企業(yè)級(jí)的內(nèi)存產(chǎn)品上才能見(jiàn)到。之前ECC一直作為一個(gè)可選特性存在，在消費(fèi)級(jí)平臺(tái)上一般也不支持ECC內(nèi)存條。這次DDR5標(biāo)準(zhǔn)把ECC特性下放到了消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品上，意味著后續(xù)支持DDR5的內(nèi)存都會(huì)有更穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。

4.容量增加

這意味著更大的單條內(nèi)存上限，以往我們看到32GB的單條基本都到頭了，這次支持了更大容量的單個(gè)DRAM，可能會(huì)讓我們看到單條64GB甚至128GB的內(nèi)存條出現(xiàn)。不過(guò)在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)上，目前的內(nèi)存需求還沒(méi)有看到有如此大，可能更多的仍然將用在高端消費(fèi)級(jí)平臺(tái)上。再也不用擔(dān)心你的DDR5內(nèi)存插槽不夠用了，2根大容量?jī)?nèi)存條足夠你把內(nèi)存條當(dāng)做系統(tǒng)盤(pán)來(lái)用了。

5.規(guī)格方面

首批DDR5 SO-SIMM內(nèi)存單條配備16GB容量，頻率達(dá)到4800MHz，這個(gè)規(guī)格意味著它能在性能上完勝目前市面上已有的DDR4 SO-SIMM內(nèi)存，不過(guò)容量上暫時(shí)似乎不會(huì)帶來(lái)太多的驚喜，但是對(duì)于移動(dòng)端目前的應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)說(shuō)也夠用了，不過(guò)未來(lái)更大的單條容量肯定會(huì)是一個(gè)發(fā)展方向，畢竟受限于內(nèi)部插槽和DDR4內(nèi)存的規(guī)格，目前筆記本平臺(tái)最多也不過(guò)是支持64GB（2*32GB），逐步推廣大容量也是DDR3向DDR4時(shí)演進(jìn)的一個(gè)方向。

6.總結(jié)

PC平臺(tái)的DDR5內(nèi)存條很快就會(huì)來(lái)，相比于DDR4，頻率，時(shí)序，能耗比一定都會(huì)更優(yōu)秀，但是DDR5下放到移動(dòng)平臺(tái)大約會(huì)晚兩年左右，所以現(xiàn)在買(mǎi)筆記本不需要糾結(jié)內(nèi)存的代數(shù)，DDR4就行了，頻率越高，時(shí)序越低越好。

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